IBMは最速のメモリリコールを主張

IBMは、国際ソリッドステート回路会議（ISSCC）でのプレゼンテーションで、世界最速のオンチップメモリ​​を主張した。

eDRAM（エンベデッド・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）としては「この種のものでは初」と評されるこの技術は、65nmプロセス向けに設計されているが、商業生産向けのIBMの45nmチップロードマップに適合すると予想されている。

IBMによると、この技術は従来のSRAMメモリ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ）が消費するスタンバイ電力のわずか20パーセントを使用し、物理的には3分の1のサイズで、低電力で高性能を実現するという。

IBMの優秀エンジニア兼45nm技術開発ディレクターのサブラマニアン・アイヤー博士は、「プロセッサーとメモリーのギャップに対するこの画期的なソリューションにより、IBMは従来のスケーリングだけで達成できるレベルを超えて、マイクロプロセッサーのパフォーマンスを効果的に2倍にしています」と述べた。 「半導体コンポーネントが原子スケールに達するにつれ、チップレベルでの設計革新が、ムーアの法則を継続するための重要な要素として材料科学に取って代わりました。本日の発表は、マイクロプロセッサー設計革新のこの重要な分野におけるIBMのリーダーシップをさらに実証しています。」

オンチップ メモリの仕様には、2 ナノ秒のランダム サイクル時間、1.5 ナノ秒のレイテンシが含まれます。各セルの寸法は 0.126 mm 2 で、スタンバイ時は 42 mW、その他の場合は 76 mW を消費します。

特にマルチコアチップは新しいメモリ技術の恩恵を受けるはずで、これによりマルチメディアアプリケーションやゲームのグラフィックスパフォーマンスが向上するとIBMは述べた。

IBMのマルチコアCellチップはソニーのPlayStation 3コンソールに搭載されているが、Cellが新しいオンチップメモリ​​技術を使用するかどうかについては詳細は不明である。